华虹半导体申请半导体器件制造方法专利有效解决了控制栅顶部的尖角问题

　　国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121335133A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制造方法。该方法通过对控制栅层进行刻蚀形成控制栅，其中刻蚀过程包括：先对控制栅层的上部进行各向同性干法刻蚀以形成凹槽；再进行各向异性干法刻蚀形成具有横向凸起部的中间控制栅结构；最后，通过湿法刻蚀去除该横向凸起部。本申请通过该方法，将湿法刻蚀从产生尖角的有害步骤转变为优化轮廓的有益步骤，从而形成侧壁轮廓平滑且上下部对准的最终控制栅，有效解决了现有技术中控制栅顶部的尖角问题，提升了器件的性能和可靠性。

　　天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可229个。

　　华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。

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