汉轩微电子申请深沟槽刻蚀专利防止各向同性刻蚀过程中出现侧蚀现象以及底部微沟槽

　　金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，汉轩微电子制造（江苏）有限公司申请一项名为“一种深沟槽刻蚀方法”的专利，公开号CN119993834A，申请日期为2025年4月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种深沟槽刻蚀方法，属于半导体技术领域，该深沟槽刻蚀方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上覆盖掩膜层；刻蚀掩膜层，形成至少两个第一开口，第一开口之间具有间隔；沿第一开口向衬底进行离子注入，形成具有一定高度的第一离子注入区；去除第一开口之间的掩膜层；向第一离子注入区之间的区域进行离子注入，形成第二离子注入区；对第一离子注入区和第二离子注入区进行处理，以形成与衬底材质不同的隔离层；去除隔离层中的衬底以及隔离层，形成所需沟槽。通过形成与衬底材质不同的隔离层，依次去除隔离层内的衬底、隔离层，从而形成具有良好形貌的高深宽比沟槽，防止各向同性刻蚀过程中出现侧蚀现象以及底部微沟槽。

　　天眼查资料显示，汉轩微电子制造（江苏）有限公司，成立于2023年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本11050万人民币。通过天眼查大数据分析，汉轩微电子制造（江苏）有限公司参与招投标项目7次，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可4个。