邦芯半导体申请高深宽比玻璃通孔制备方法专利实现更好的侧壁光滑度

　　国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔”的专利，公开号CN121311042A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔，包括：在衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执行第二刻蚀步骤，使用第二气体的等离子体，对内壁底部上的第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，露出下方的衬底，以再次进行第一刻蚀；每完成第一预设次数的第一刻蚀步骤后，对形成中的通孔执行处理工艺；重复执行第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤和处理工艺，直至在衬底上形成通孔。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率，实现更好的侧壁光滑度。

　　天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目16次，财产线条，此外企业还拥有行政许可2个。

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